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IXDN 55N120 D1
High Voltage IGBT
with optional Diode
V CES
I C25
= 1200 V
= 100 A
V CE(sat) typ = 2.3 V
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
C
miniBLOC, SOT-227 B
G
E153432
G
E
E
E
C
Symbol
V CES
V CGR
Conditions
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GE = 20 k Ω
Maximum Ratings
1200 V
1200 V
E = Emitter ① , C = Collector
G = Gate, E = Emitter ①
① Either Emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
V GES
Continuous
±20
V
V GEM
Transient
±30
V
Features
I C25
I C90
I CM
RBSOA
T C = 25°C
T C = 90°C
T C = 90°C, t p = 1 ms
V GE = ±15 V, T J = 125°C, R G = 22 Ω
100
62
124
I CM = 100
A
A
A
A
●
●
●
●
●
●
NPT IGBT technology
low saturation voltage
low switching losses
square RBSOA, no latch up
high short circuit capability
positive temperature coefficient for
Clamped inductive load, L = 30 μH
V CEK < V CES
easy paralleling
t SC
(SCSOA)
V GE = ±15 V, V CE = V CES , T J = 125°C
R G = 22 Ω , non repetitive
10
μs
●
●
●
MOS input, voltage controlled
optional ultra fast diode
International standard package
P C
T C = 25°C
IGBT
450
W
miniBLOC
Diode
220
W
Space savings
V ISOL
50/60 Hz; I ISOL ≤ 1 mA
2500
V~
Advantages
●
T J
T stg
-40 ... +150
-40 ... +150
°C
°C
●
●
Easy to mount with 2 screws
High power density
M d
Mounting torque
1.5/13 Nm/lb.in.
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
Typical Applications
Weight
30
g
●
AC motor speed control
●
●
DC servo and robot drives
DC choppers
Symbol
V (BR)CES
Conditions
V GE = 0 V
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
1200
V
●
●
Uninteruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
V GE(th)
I C = 2 mA, V CE = V GE
4.5
6.5
V
I CES
V CE = V CES
T J = 25°C
T J = 125°C
6
3.8 mA
mA
I GES
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
± 500 nA
V CE(sat)
I C = 55 A, V GE = 15 V
2.3
2.8
V
? 2002 IXYS All rights reserved
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